Preisträger 2008
Bram Hoex
Mit dem SolarWorld Junior-Einstein-Award 2008 wurde der Niederländer Bram Hoex ausgezeichnet. In seiner Doktorarbeit beschäftigt sich der Physiker, der seine akademische Karriere an der Technischen Universität von Eindhoven begann, mit alternativen Beschichtungstechnologien für die Herstellung von siliziumbasierten Solarzellen. Durch die Verwendung von Aluminiumoxid anstelle von Siliziumnitrid zur Passivierung der Oberfläche gelang die Reduktion der elektrischen Verluste, was in Kooperationen mit Forschungsinstituten zu einer Steigerung der Gesamteffizienz der Solarzelle auf 23,2 Prozent führte. Zwar sind die positiven Eigenschaften von Aluminiumoxid schon lange bekannt, aber Bram Hoex gelang es erstmals solche Schichten herzustellen und die Idee in die industrielle Anwendung zu bringen. Es ist ein weiterer Schritt, um Solarstrom konkurrenzfähiger zu machen. Das fanden die Juroren im doppelten Sinne preiswürdig.

